本发明公开了一种硫化
铜分级结构材料及其制备方法。所述材料包括分级结构硫化铜微米片和纳米片垂直生长于
铜棒基质材料。其特征在于,以铜棒为基底材料,在其表面垂直生长了分级结构的硫化微米片和纳米片。其制备方法为:将硫粉分散在甲醇溶液中,将铜棒浸入制得的硫粉甲醇分散液中,置于反应釜中在80至120摄氏度下,保温6‑12小时。本发明提供的硫化铜片状分级结构具有多层次、多维度耦合特征以及制备工艺简单的优点,制备过程中不借助昂贵设备,利用自上而下的自组装方法生长出有序的小尺寸特征结构,为先进
功能材料的结构设计和构筑提供了全新理念。在光催化、催化剂载体、光
电化学制氢和
储能等领域有潜在的应用前景。
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