本发明公开了一种硫化铜分级结构材料及其制备方法。所述材料包括分级结构硫化铜微米片和纳米片垂直生长于铜棒基质材料。其特征在于,以铜棒为基底材料,在其表面垂直生长了分级结构的硫化微米片和纳米片。其制备方法为:将硫粉分散在甲醇溶液中,将铜棒浸入制得的硫粉甲醇分散液中,置于反应釜中在80至120摄氏度下,保温6‑12小时。本发明提供的硫化铜片状分级结构具有多层次、多维度耦合特征以及制备工艺简单的优点,制备过程中不借助昂贵设备,利用自上而下的自组装方法生长出有序的小尺寸特征结构,为先进
功能材料的结构设计和构筑提供了全新理念。在光催化、催化剂载体、光
电化学制氢和
储能等领域有潜在的应用前景。
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