本发明公开了一种氧化镉镁合金透明导电薄膜,该薄膜采用磁控溅射技术,设计合理的溅射参数制备而成。磁控溅射的靶材为氧化镉和氧化镁,薄膜中镁的原子数百分比组分含量值x为:0≤x<0.5;薄膜厚度为:170—290nm。本发明研究认为,增大薄膜中镁的含量,可实现薄膜在短波范围的截止波长继续向短波方向的拓展,从而拓宽其光学带隙,有效提高短波范围的光透过性能,使其在太阳辐射波长375—1800nm之间,光谱透过率达到75%以上,而镁组分含量与靶材溅射功率、靶材和基片之间的距离、及与薄膜沉积时间长短相关。本发明以磁控溅射方法调节薄膜中Mg的含量,操作简便,只要控制好设计参数,便能工业化规范生产,使之在
太阳能电池、光电探测等光电
功能材料和器件领域中获得良好的应用前景。
声明:
“氧化镉镁合金透明导电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)