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钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法

736   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:06:02
一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法,属于纳米功能材料领域。步骤:1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌;2)以上述溶液为电解液,电沉积5~15min,可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜;3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中,加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀;4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上;5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1~2h;6)取出样品并将其浸泡于氢氧化钠溶液中30‑60min,清洗、干燥,得到钴镧共掺钒酸铋(Co/La‑BiVO4)纳米多孔电极。优点:钴镧元素共掺能有效增强BiVO4薄膜的可见光响应,得到了更佳的光电化学制氢性能。
声明:
“钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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