本发明属于Bi2O2Se二维
功能材料的生长工艺技术领域,具体涉及一种实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法,本发发明突破了现在基底及制备工艺生长Bi2O2Se的局限性,选用具有较大晶格差异的(0001)取向Al2O3基片作为衬底,综合控制气体流速、前驱物‑基片的间距、沉积气压、成核时间和温度以及生长时间和温度等参数,结合高温扩散成核、低温结晶生长的制备技术,实现了形状和尺寸可控的Bi2O2Se微米梯台的制备。该方法能够通过综合调控生长条件,获得平面生长、倾斜生长的Bi2O2Se微米梯台,横向尺寸从几微米到几十微米可控。本发明具有参数控制简便,重复性高,无毒害废气排放的优点。
声明:
“实现Bi2O2Se微米梯台的化学气相沉积的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)