合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 功能材料技术

> 二氧化锡半导体薄膜的制备方法及其缺陷湮灭方法

二氧化锡半导体薄膜的制备方法及其缺陷湮灭方法

682   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:05:02
本发明涉及一种激光技术制备二氧化锡半导体薄膜及其微结构缺陷湮灭的实验工艺,属于半导体薄膜制备工艺技术领域。二氧化锡是近年来引起广泛关注的一种n-型半导体功能材料,在微电子工业、光电子器件以及太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。利用脉冲激光沉积方法,控制一定工艺参数,在室温下,将薄膜沉积在玻璃衬底上,制备出了二氧化锡半导体薄膜;该薄膜存在着若干微结构缺陷,使其应用受到限制,然而,采用在高分辨电子显微镜,将上述具有微结构缺陷的薄膜进行300℃原位退火2小时,简单地成功实施了二氧化锡半导体薄膜的微结构缺陷的湮灭技术,实现了薄膜微结构无缺陷的工艺,本方法在薄膜制备领域具有潜在的应用价值。
声明:
“二氧化锡半导体薄膜的制备方法及其缺陷湮灭方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
功能材料
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记