本发明公开了一种负热膨胀陶瓷材料ScxIn2‑xMo3O12及其制备方法。其中1.4≤x≤1.6。属于无机非金属
功能材料领域,该负热膨胀ScxIn2‑xMo3O12陶瓷材料以高纯度Sc2O3、In2O3和MoO3为原料,采用固相法制备,按照一定的摩尔比通过对原料氧化物称量、球磨、成型和在750‑1100℃烧结,制备得到的斜方向负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12陶瓷,其结构致密,在室温到其熔点温度范围内具有稳定的负热膨胀性能。例如Sc1.5In0.5Mo3O12陶瓷在室温到700℃的温度范围内,其线热膨胀系数为‑3.99×10‑6/K,热膨胀曲线近乎线性,无相变发生,热膨胀性能稳定,具有较好的负热膨胀性能,同时本发明所提供的制备负热膨胀材料ScxIn2‑xMo3O12的制备方法较为简单,制备周期短、环保无污染,因而具有较好的应用前景。
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