一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法, 涉及
功能材料薄膜的制备,特别是涉及制备磁电阻薄膜。本方 法是在清洗干净的玻璃基片上或单晶硅基片上沉积镍铁Ni0.81Fe0.19薄膜,将(Ni0.81Fe0.19)xCr1-x层作为种子层,x值介于0.13~0.53之间;沉积的顺序依次是1.0~12.0nm厚度的镍铁铬(Ni0.81Fe0.19)xCr1-x、10.0~200.0nm厚度的镍铁Ni0.81Fe0.19和5.0~9.0nm钽Ta。本发明由于采用体心结构的NiFeCr作为坡莫合金薄膜的一种新型种子层,其各向异性磁电阻AMR值比以传统的Ta为种子层时明显提高,最大可达34%,具有制备方便、不需要高温沉积和磁场热处理、成本低等优点。
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