本发明公开了一种铁电存储器用铁电薄膜的紫外光辅助制备方法,属 于微电子信息
功能材料与器件领域。本发明铁电存储器用PZT前驱体溶液 浓度为0.1~0.3mol/l。每次旋转匀胶后,都对薄膜进行烘烤并辅以均匀紫 外光辐照,光照度为10~15mW/cm2,接着进行热解处理,最后PZT薄膜在 550~600℃下退火处理。本发明铁电存储器用PZT铁电薄膜为多晶薄膜, 具有良好的铁电性能、抗疲劳性能及漏电流特性,且结晶温度低的优点, 可与现有的Si半导体工艺兼容。
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