本发明涉及一种碳热还原法合成大长径比碳化铪晶须的方法,采用碳热还原法,不借助催化剂,无金属杂质引入,得到的HfC晶须纯度较高、长径比大,文献报道的HfC晶须的长径比分布在5~180,而本发明制备的HfC晶须的长径比为50~500。与文献报道的HfC晶须相比,本发明制备的HfC晶须的最大长径比提高了178%。HfC晶须既可作为增强体材料制备多孔HfC晶须预制体,也可作为第二增强相应用于超高温陶瓷基或碳基
复合材料,还可作为
功能材料用于阴极场发射器,具有广泛的应用前景。碳热还原法具有工艺过程简单,参数易于控制,对设备要求低,成本低,可靠性和重复性好,易于实现规模化生产HfC晶须的优势。
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