本发明的目的是提供一种新型的白光发光元器件的制备方法。该方法的创新点在于器件的材料选用氮化铝晶体,器件结构采用简单的三明治层叠结构。传统的白光半导体器件采用掺杂的外延氮化镓薄膜作为发光层,再配合荧光粉二次激发混合成白光输出。本发明的新方法直接采用气相传输法制备的氮化铝晶体材料作为
功能材料,在晶体上制备电极后直接通电发光。该方法实现单一材料的白光输出,无需荧光粉的二次转换,因此器件结构更加简单紧凑,晶体材料的功能层也能承载更大的功率。由于利用宽紧带半导体氮化铝材料禁带内的缺陷发光,丰富的缺陷能级导致器件的发射光谱十分丰富,能完全覆盖整个可见光区域,光色品质也非常出色。
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