本发明公开了一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法,包括以下操作步骤:采取
纳米材料制备技术、
半导体材料、高分子材料和PCB板技术相结合,在电极切槽部位印刷具有疏松骨架结构以及半导体特性的
功能材料层,切槽部位电极存在尖端和功能浆料为疏松的骨架结构形成的缝隙,实现低电压特性,通过激光精度切割制备的电极缝隙。本发明所述的一种低触发、低容值片式静电抑制器的制备方法,通过激光精度切割制备的电极缝隙,相对于厚膜印刷工艺制备的电极,缝隙宽度一致性好,采用双缝隙电极设计,实现低容值,解决了超小容值的问题,采用3层压合板设计,实现了内部结构较高的致密度,具有较高的防渗透和耐湿气的性能。
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