本发明涉及一种源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。该源漏电极的制备方法包括如下步骤:在衬底上设置导电层;在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光处理,再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽,形成具有图案的光刻胶层;及在具有图案的光刻胶层上
电化学沉积
功能材料,然后去除光刻胶层,得到形成有图案层的导电层,得到源漏电极。采用上述制备方法得到的源漏电极的电导率较高。
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“源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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