本发明属于电子
功能材料领域,具体涉及一种在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法。该系列薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ,其中X为掺杂元素;y为掺杂元素的掺杂量;δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明采用优化的化学溶液沉积制备技术,在硅基片上,制备了具有(100)择优取向的钛酸铋钠基薄膜。本发明整个制备工艺过程简单、易控,成本低廉,且制备出的薄膜晶相单一,择优取向度高。
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“在硅基片上生长(100)择优取向钛酸铋钠基薄膜的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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