本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法,该设备包括:扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是:利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力,使用导电针尖作为纳米电极,并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域,在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是:利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极,可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像,像点间的信息具有很高的可比性,有助于对半导体光电
功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。
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