本发明属于
功能材料制备技术领域,以SiO2@ZnO QDs为荧光基质材料,利用自由基聚合方法合成多孔硅表面分子印迹荧光传感器。本发明利用凝胶溶胶法将ZnO QDs封装到多孔SiO2中,不仅解决量子点稳定性问题,提高量子点使用寿命;还通过加入致孔剂制备多孔SiO2,解决量子点包埋过深,增加比表面积,拓宽其使用范围。与表面分子印迹技术结合,提高荧光传感器对待检测物质的识别能力和响应速度,为快速、选择性识别检测乳制品中痕量三聚氰胺奠定坚实的理论和实践基础。
声明:
“ZnO量子点/多孔硅荧光材料制备方法及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)