本发明涉及一种原位反应热压制备Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法。所述Ta2AlC纳米层状陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为3.08,c为13.85,理论密度为11.52g/cm3。其晶体结构中Al和Ta以较弱的共价键相结合,使Ta2AlC在变形时易沿[0001]方向在此处产生剪切变形,表现一定的显微塑性。它是优良的热电导体,易加工和对热震不敏感,是潜在的高温结构与
功能材料。单相Ta2AlC具体制备方法是:首先,以钽粉、铝粉、石墨粉为原料,干燥条件下在树脂罐中球磨10~20小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(10~20MPa),在真空或通有氩气的热压炉内烧结,升温速率为10~15℃/分钟,在1500~1700℃烧结,保温时间为20~120分钟,施加压力为20~40MPa。本发明制备的Ta2AlC陶瓷具有致密度高、纯度高的特点。
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