本发明属于
功能材料领域,涉及一种Al、F共掺杂的ZnO基透 明导电薄膜及其制备方法。其特征是包括以下步骤:1),首先制作 ZAFO靶材,利用AlF3、Al2O3和ZnO粉体,经过均匀混合后,分别 制成不同F含量的ZAFO靶材;ZAFO靶材中含有0.5~3.0wt%的 Al,0.82~3.28wt%的F,其余为ZnO;2),将制作好的ZAFO靶材, 安装在射频磁控溅射沉积设备真空室内,用机械泵、分子泵把真空室 的真空度抽到压强小于3×10-3Pa,同时将基片温度加热到25℃~ 500℃;通过调节沉积工艺参数,采用射频磁控溅射在基片上制备 ZAFO透明导电薄膜。本发明简化了镀膜工艺,改善了薄膜的导电性 和可见光透过率。
声明:
“AL、F共掺杂ZNO基透明导电薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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