本发明提供的一种应用于乙醇传感器的VSe2单晶薄膜的制备方法,属于
功能材料制备技术领域。首先将V和Se粉体放置于石英管底部,将石英管抽真空并进行封管;然后将封装好的石英管竖直放入立式炉中,通过设定立式炉的升降温及保温程序,精确控制炉内温度以满足晶体的加热、长晶过程,V和Se粉体在温度与重力场的协同作用下,变成蒸汽并在台阶处的基片上生长得到VSe2单晶薄膜。本发明方法中,晶体的生长是在真空石英管中完成的,不涉及气体的通入及废气的处理过程;且方法简单,成本低廉,得到的单晶薄膜纯度高,品质好,可作为高纯度本征单晶
半导体材料,应用于乙醇传感器等气体传感器中。
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