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制备高比表面碳化硅纳米管的方法

1051   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:03:02
本发明公开了二种采用模板法制备高比表面碳化硅纳米管的方法,技术方案一,步骤如下:a.选用多孔氧化铝作为模板浸入到氢甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中;b.将上述氧化铝模板在马弗炉中50~600℃温度下放置1~10小时;c.用酸去除氧化铝模板得到聚硅氧烷纳米管的前驱体;d.将上述前驱体置于高温管式炉中在惰性气体保护下以2~10℃/min的速度升温到1000~1700℃,然后恒温0.5~10小时得到碳化硅纳米管。技术方案二将技术方案一的步骤c、步骤d互换。本发明制备的碳化硅纳米管比表面积为3500-4500m2/g,可作为半导体材料功能材料、光电器件具有广阔的应用前景。
声明:
“制备高比表面碳化硅纳米管的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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