本发明公开了二种采用模板法制备高比表面碳化硅纳米管的方法,技术方案一,步骤如下:a.选用多孔
氧化铝作为模板浸入到氢甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中;b.将上述氧化铝模板在马弗炉中50~600℃温度下放置1~10小时;c.用酸去除氧化铝模板得到聚硅氧烷纳米管的前驱体;d.将上述前驱体置于高温管式炉中在惰性气体保护下以2~10℃/min的速度升温到1000~1700℃,然后恒温0.5~10小时得到碳化硅纳米管。技术方案二将技术方案一的步骤c、步骤d互换。本发明制备的碳化硅纳米管比表面积为3500-4500m2/g,可作为
半导体材料、
功能材料、光电器件具有广阔的应用前景。
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