本发明属于电子
功能材料领域,具体涉及一种降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法。该薄膜的化学通式为Na0.5Bi0.5Ti1-xMnxO3-δ,其中x为锰离子的摩尔掺量,0< x< 0.05;δ是为了维持电荷平衡所失去的氧原子的数目。本发明在锰离子掺杂的基础上,采用优化的化学溶液沉积制备工艺,在ITO/glass衬底上,制备了具有良好铁电性及介电性的钛酸铋钠基薄膜。可以用于开发具有铁电、介电特性的功能材料及器件。
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“降低钛酸铋钠基薄膜矫顽场及提高其耐压性的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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