本发明公开了一种忆阻器及其制备方法,所述忆阻器包括自下而上依次设置的基底、底电极层、
功能材料层、顶电极层以及顶电极保护层,其特征在于,所述功能材料层和顶电极层之间设置有阻挡层,所述阻挡层由Nb2C覆盖在MAPbI3层上表面制备而成。本发明引入阻挡层制备形成的忆阻器,且配置有顶电极保护层,具有稳定性好、导电性佳的特点,具有广阔的应用前景,同时本发明的制备方法简便高效,成本较低,适合在产业上广泛应用。
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