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N掺杂二氧化钛基忆阻器及其制备方法

648   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:31
本发明公开了一种N掺杂二氧化钛基忆阻器及其制备方法,包括上电极、功能材料层和下电极,以FTO导电玻璃为下电极,在下电极上生长N‑TiO2功能材料层,然后在N‑TiO2功能材料层上溅射金电极。本方法制备过程简单,成本低廉,制备得到的器件表现出忆阻特性且性能良好。
声明:
“N掺杂二氧化钛基忆阻器及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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