本发明属于超快诊断技术和半导体技术领域,具体涉及一种全光固态超快光探测器的制备方法,其特殊之处在于:包括以下步骤:1)在GaAs衬底上生长腐蚀停层,然后在腐蚀停层上低温生长2‑5um的低温GaAs作为
功能材料层,所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片;2)在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR;3)在石英基片上旋涂紫外固化胶,然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上;4)将GaAs衬底逐渐减薄,直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层;5)在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。主要解决了全光固态超快光探测器制作难度高的问题。
声明:
“全光固态超快光探测器的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)