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制备纳米晶电阻转换材料的方法

865   编辑：管理员   来源：中冶有色网  
2023-03-18 15:02:31
本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法,包括如下步骤:首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜,随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶,再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆;重复上述三步,形成具有功能材料包覆的均匀的纳米晶电阻转换存储材料和单元。本发明提出的制备纳米晶电阻转换存储材料的工艺方法,可用于纳米晶电阻转换存储器,解决无法制备均匀纳米晶存储材料的难题。本发明能够大幅度提升存储器的性能,提升器件的可靠性。
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“制备纳米晶电阻转换材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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