一种化学机械研磨方法和半导体结构的形成方法。其中,所述化学机械研磨方法包括:提供
功能材料层,所述功能材料层中形成有若干凹槽;在所述凹槽的底部和侧壁以及凹槽两侧的功能材料层上形成补偿层;进行化学机械研磨,去除补偿层和部分所述功能材料层,形成上表面齐平的功能层。本发明提高了化学机械研磨所形成功能层上表面的平整度,以及提高了所形成半导体结构的性能。
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