本申请涉及显示器件工艺技术领域,具体涉及一种空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该空穴功能层的制备方法包括如下步骤:沉积空穴
功能材料溶液;在≤120℃的条件下进行退火处理,得到空穴功能层,其中,所述空穴功能材料溶液中的溶剂包括第一溶剂和第二溶剂,所述第二溶剂的沸点低于所述第一溶剂的沸点。用于成膜的空穴功能材料溶液选用包括第一溶剂和第二溶剂的混合溶剂,因其中的第二溶剂的沸点低于第一溶剂的沸点,使得该空穴功能材料溶液的成膜退火温度显著降低,可以在≤120℃的条件下进行退火,远低于目前的退火温度,这样可以减少空穴功能层的热损害,从而提高空穴功能层的性能。
声明:
“空穴功能层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)