本发明涉及
半导体材料制备技术领域,具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料,氮化物材料的制备方法,包括以下步骤:提供衬底,在衬底的表面沉积氮化物,形成氮化物薄膜;采用离子注入方法,在氮化物薄膜中形成离子注入层,离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜,第一氮化物膜附着于衬底上,第二氮化物膜远离衬底;在第二氮化物膜的表面沉积
功能材料,形成功能材料层;自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。工艺步骤简单,可操作性强,无需激光处理,不受功能材料的尺寸限制,利于在工业中应用。
声明:
“氮化物材料的制备方法及氮化物材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)