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半导体结构的形成方法

1013   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:31
本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法,所述形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成栅功能结构,所述栅功能结构包括:一层栅功能层或多层栅功能层;形成所述栅功能层的步骤包括:在衬底上形成功能材料层;对所述功能材料层表面进行解复合处理,减少所述栅功能材料层表面的陷阱缺陷俘获的带电离子;所述解复合处理之后,对所述栅功能材料层表面进行钝化处理,减少所述栅功能材料层表面的陷阱缺陷;在所述栅功能结构上形成栅极。所述解复合处理和钝化处理能够减少所形成半导体结构的低频噪声。
声明:
“半导体结构的形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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