本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法,所述形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成栅功能结构,所述栅功能结构包括:一层栅功能层或多层栅功能层;形成所述栅功能层的步骤包括:在衬底上形成
功能材料层;对所述功能材料层表面进行解复合处理,减少所述栅功能材料层表面的陷阱缺陷俘获的带电离子;所述解复合处理之后,对所述栅功能材料层表面进行钝化处理,减少所述栅功能材料层表面的陷阱缺陷;在所述栅功能结构上形成栅极。所述解复合处理和钝化处理能够减少所形成半导体结构的低频噪声。
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