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基于HfO2/ZrO2或HfO2/Al2O3超晶格铁电忆阻器及其制备

784   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:31
本发明属于微电子器件技术领域,公开了一种超晶格铁电忆阻器,包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层,其中,所述功能层是由至少一个超晶格单元构成的超晶格功能层,每一个超晶格单元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上依次堆叠形成;该功能层中任意一个由第一功能材料或第二功能材料形成的子功能层的厚度均满足0.6‑5nm;第一功能材料为HfO2,第二功能材料为ZrO2或Al2O3。本发明通过对器件功能层结构及组成进行改进,区别于传统金属掺杂HfO2基铁电忆阻器,采用堆叠生长超晶格HfO2层和ZrO2层(或Al2O3层)作为铁电忆阻器功能层,具有良好的铁电性和忆阻特性。
声明:
“基于HfO2/ZrO2或HfO2/Al2O3超晶格铁电忆阻器及其制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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