一种通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法,包括:在衬底上依次淀积生长电热绝缘材料层、第一
功能材料层和牺牲材料层;旋涂SU-8胶并电子束曝光;干法刻蚀至电热绝缘材料层的上表面;淀积第二功能材料层;经电子束曝光形成横向的条形纳米量级的SU-8胶条,并跨越由第一功能材料层;干法刻蚀第二功能材料层至电热绝缘材料层的上表面;腐蚀去除牺牲材料层,暴露出第二功能材料层下方以外的第一功能材料层;干法刻蚀去除第二功能材料层下方以外的第一功能材料层;超声-剥离,制备出第一功能材料层全限制在第二功能材料层间的水平器件结构。本发明藉由线宽控制精度高、定位精确、可拓展性好、制备简单、可靠性高、制备良品率高、研发成本低、可移植性好、经济高效的优点。
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