本发明涉及新型芳族‑氨基官能硅氧烷,其是包含一个或两个尾基X
2以及将每个所述尾基与所述头基连接的结构(2)的连接基团L的化合物,其中头基X具有结构(1),其含有任选的有机部分Y,其中所述尾基X
2通过所述连接基团L与头基X
1的连接点可以位于位置a,b,c,d或e。本发明的另一方面是含有这些新型芳族氨基官能硅氧烷的组合物。本发明的另一方面是包含上述新型芳族‑氨基官能硅氧烷的组合物,以及由这些组合物在室温下老化约1天至约4周而得到的组合物。本发明的又一方面是由老化的组合物在基底上形成自组装单层的方法,以及将这些老化的组合物涂覆在图案化的多孔电介质上以覆盖它们的方法,以及这些覆盖的图案化的多孔电介质的金属化方法。
声明:
“用于覆盖多孔电介质的芳族氨基硅氧烷功能材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)