本发明公开了一种铜单晶片及单晶
石墨烯的制备方法。所述可商业化生产的铜单晶片的制备方法,包括:利用定向凝固技术将多晶
高纯铜块,熔炼制备得到大尺寸、横截面为不同晶面的铜单晶棒;将所述的单晶铜棒沿横截面方向进行线切割,得到上千片的铜单晶片;将所述铜单晶片的两面都进行机械与
电化学抛光处理,得到取向一致、表面光滑的铜单晶片,包括Cu(111)、Cu(110)和Cu(001)等晶体取向。将得到的Cu(111)单晶片作为催化基底,利用CVD生长技术可以制备出大面积、高质量的单晶石墨烯。本发明所述的铜单晶片的制备方法具有制备工艺简单成熟、造价低、产率高、可商业化生产等特点,以Cu(111)单晶片为催化基底可以制备得到面积大、质量好的石墨烯单晶。
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