本发明是关于一种奈米碳管的图腾形成方法,是提供一种奈米碳管的图腾形成方法制作高解析的图腾化电子发射源层;利用可微影制程的负型光阻材料图腾化制作高解析的荫罩阻隔层,再以喷涂奈米碳管喷涂液形成奈米碳管层,接着以烧结过程移除荫罩阻隔层并同时使图腾化的奈米碳管层固着于阴极导电层以形成电子发射源层。依本发明方法实施的电子发射源层可满足高解析图腾的需求,并且以喷涂的制作奈米碳管层,其涂层厚度薄,电子产生效率与均匀性均高,从而更加适于实用。
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