本申请涉及
稀土永磁体的技术领域,更具体地说,它涉及一种低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法。低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体,由包括以下重量百分比的原料制成:28‑33%Nd、1.1‑1.2%B、62‑67%Fe、0.6‑0.8%Gd、0.6‑0.8%Dy、0.1‑0.15%Co、0.05‑0.1%Cu、0.03‑0.06%Ga,余量为不可去除的杂质。低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体的制备方法,包括以步骤:(1)原料准备及预处理、(2)熔炼、(3)氢爆制粉、(4)成型取向、(5)烧结、(6)镀锌、(7)镀膜。本申请的低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法具有提高烧结钕铁硼磁体的抗腐蚀性的优点。
声明:
“低边界相电位差的烧结钕铁硼磁体及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)