本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高密度HfO
2靶材的制备方法。本发明利用碱性溶剂对HfO
2粉体预处理,将预处理后粉体置于马弗炉、热压炉中烧结,然后粉碎、过筛,再置于热压炉中进行三段式热压烧结,最后随炉冷却,得到HfO
2靶材;所得HfO
2靶材外观呈均匀灰色,相对密度达到85%~95%,具有高强度、不易开裂的特点,适用于溅射制备光学薄膜。
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