本发明公开了一种高结温雪崩二极管
芯片组件,包括正面金属片、二极管扩散圆片和背面金属片;二极管扩散圆片的两面均设有镍膜;两层镍膜的外侧面与两金属片的内侧面设焊料层;正面金属片上设有应力吸收槽路,应力吸收槽路上设有沟槽,沟槽上设有聚酰亚胺钝化层。本发明还公开了一种高结温雪崩二极管芯片组件的制造方法,采用聚酰亚胺作为钝化层,避免玻璃钝化固有的高温漏电大,膨胀应力大等缺陷,提升了二极管结温;而且减少所有光刻,节约了成本,同时避免了光刻不良引入的缺陷,带来了极大的经济效益;本发明引入晶圆极的内引线金属电极片,减少了台面工艺带来的翘曲、碎片,提高浪涌能力,提高成品率,并方便后续封装工艺。
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