合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 真空冶金技术

> 高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法

高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法

945   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:03
本发明公开了一种高结温雪崩二极管芯片组件,包括正面金属片、二极管扩散圆片和背面金属片;二极管扩散圆片的两面均设有镍膜;两层镍膜的外侧面与两金属片的内侧面设焊料层;正面金属片上设有应力吸收槽路,应力吸收槽路上设有沟槽,沟槽上设有聚酰亚胺钝化层。本发明还公开了一种高结温雪崩二极管芯片组件的制造方法,采用聚酰亚胺作为钝化层,避免玻璃钝化固有的高温漏电大,膨胀应力大等缺陷,提升了二极管结温;而且减少所有光刻,节约了成本,同时避免了光刻不良引入的缺陷,带来了极大的经济效益;本发明引入晶圆极的内引线金属电极片,减少了台面工艺带来的翘曲、碎片,提高浪涌能力,提高成品率,并方便后续封装工艺。
声明:
“高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
真空冶金
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届中国微细粒矿物选矿技术大会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记