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半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块

1116   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:03
本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块,所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤:S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏;S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面,形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法,在钼片上首先沉积AgSn,AgSn具有很强导热能力,可以确保整个子模组的传热能力。
声明:
“半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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