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能降低污染的InSb单晶生长热场装置及生长方法

860   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:03
本发明涉及一种能降低污染的InSb单晶生长热场装置,包括单晶生长坩埚体和保温模块,单晶生长坩埚体包括石墨坩埚,石墨坩埚的内侧和外侧均固定安装石英坩埚层,石英坩埚层将石墨坩埚密封包裹在其内部;保温模块包括石英密封罩体,石英密封罩体内部密封设置保温碳毡;还包括惰性气体输送管,惰性气体输送管其出口位于单晶生长坩埚体的表面开口处,使得惰性气体输送管内的惰性气体经加热后吹散在液面和晶体表面,降低单晶生长坩埚体内的温度梯度;本发明消除了污染源,提高了单晶生长环境的清洁度;特殊的气体输送管路能减少液面和晶体表面的温度梯度,能生长出高质量低位错密度的单晶。
声明:
“能降低污染的InSb单晶生长热场装置及生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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