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低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷的制备方法

664   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:02:03
本发明公开了一种低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷的制备方法,按照如下步骤进行:a、以稻壳为原料,制备得到碳硅质前驱体,再添加α‑Si3N4粉体、烧结助剂,组成陶瓷原料;b、将凝胶物质和分散剂分散在去离子水中,与上述陶瓷原料混合,球磨4‑8h后取出,真空除泡10‑30min,形成浆料;然后水浴加热至40‑80℃,使浆料中的凝胶物质完全溶解,其中浆料的固相含量为35‑60%;c、将上述料浆注入预热的模具中,进行注凝成型,脱模干燥,得到坯体;最后烧结自然冷却至室温,即获得低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷。
声明:
“低介电常数α‑Si3N4多孔陶瓷的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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