本发明公开了一种酸蚀内藏台面的硅整流圆
芯片生产工艺,属于大功率半导体芯片的技术领域,以解决人工磨角的控制力差异导致芯片的质量参差不齐,且人工手持硅片,费时费力,工作效率低下等问题。该生产工艺包括硅片切割清洗、装模烧结、酸洗腐蚀、涂保护胶、室温硫化、高温老化和检测包装,通过腐蚀台面造型代替机械磨角,使磨角的角度达到最优的45‑50°,提高芯片性能,并且酸腐蚀不会在其内部产生应力和热损伤,不易产生正反两面的崩边、微损伤、裂痕等问题,而且省时省力,提高工作效率,其次,通过在混合酸溶液中添加含缓释剂的热敏微胶囊,抑制反应速率,并在下电极钼片表面形成钝化层,解决了腐蚀均匀性以及钼片腐蚀损伤的问题。
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