本发明涉及一种以2微米以上粗颗粒粉体为原料的无压烧结碳化硼陶瓷制备方法,包括以下步骤:将重量百分比为碳化硼粉(D50≥2μm)70~80wt%,碳粉?4~8wt%,氧化钇粉?0.7~2wt%,余量的粘结剂和分散剂放入球磨机混料容器,加入去离子水后进行球磨制浆,所得浆料固相含量为25~45wt%;所得浆料用喷雾干燥造粒机制得造粒粉;将造粒粉采用干压成型或冷等静压成型工艺在100-200MPa下压成生坯;将生坯放入真空炉内,采用真空或常压烧结方式,在2000~2300℃温度下保温0.5~5h完成烧结得到碳化硼陶瓷。本发明由于采用价格低廉的粗颗粒碳化硼粉体为原料,采用可规模化生产的无压烧结工艺,可以大大降低碳化硼陶瓷的制造成本,适用于核电、半导体装备、装甲防护等领域。
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