本发明公开了
半导体材料硫化方法。本发明提供的方法包括以下步骤:将硫源与半导体材料置于不完全密封的容器,将所述不完全密封的容器置于反应器中加热进行硫化反应,得到硫化的半导体材料。本发明提供的半导体材料硫化方法可使半导体的晶粒尺寸变大,从而更好地晶化。对于作为
太阳能电池吸收层材料的半导体,还可以使其衍射峰变强,并使其吸收更多的光。采用本发明提供的硫化方法对非晶硅太阳能吸收层材料进行硫化,可以使其带隙更加接近于硅材料的带隙。本发明提供的方法可以对被处理的半导体起到退火作用,特别适用于铜锌锡硫薄膜的硫化退火,且该方法中使用的装置简单,易于进行大规模生产。
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