本发明公开一种半导体α‑GeTe靶材及其制备方法,在惰性气体环境下将Ge和Te加热熔炼成合金;然后从合金一端开始分段进行降温冷却;经过真空均匀化淬火处理,再经真空热压烧结后,得到半导体α‑GeTe靶材。熔炼过程无需进行真空封管,优化了工艺,降低了成本;采用定向凝固技术,对GeTe锭进行提纯;进一步真空均匀化淬火处理和真空热压烧结技术使得合成的GeTe靶材成份均匀,具有较高的致密度,相对密度≥98.1%;含氧量≤0.0489%;Te含量为63.32~64.12wt%。保证靶材使用性能的优异性的同时也适合产业化生产。
声明:
“半导体α-GeTe靶材及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)