本发明提供了一种
芯片引线框架材料用高纯Cu‑Al‑Ag合金的制备方法,包括:将铜粉、铝粉和银粉混合球磨得到混合粉体;将混合粉体冷等压成型,得到Cu‑Al‑Ag合金毛坯;将所述Cu‑Al‑Ag合金毛坯放电等离子烧结,得到Cu‑Al‑Ag合金材料。本发明采用是湿化学法制备
高纯铜,通过在铜合金中添加Al、Ag成分,冷等静压成型技术制备合金素坯,再结合放电等离子烧结(SPS)技术,不仅可以再较低的温度下制备出铜
铝合金材料,而且制备的芯片框架材料,纯度高,导电率高,散热性、强度高,进而满足目前高端芯片框架及封装材料的性能要求。
声明:
“芯片引线框架材料用高纯Cu-Al-Ag合金及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)