本发明涉及碳化硅陶瓷技术领域,本发明提供了一种碳化硅陶瓷及其制备方法。该碳化硅陶瓷制备方法包括准备原料、生坯制备、反应烧结和二次烧结除硅步骤,本发明通过先进行反应烧结,提高了坯体中碳化硅的含量;然后通过将坯体埋入碳粉中进行二次烧结除硅,碳化硅中的硅蒸发,迁移到碳化硅外部碳中,从而使得碳化硅中的自由硅得以消除,最终获得高纯、一定气孔率的碳化硅陶瓷,此种工艺相比传统重结晶碳化硅制备工艺烧结温度要低很多,而且所制备出的碳化硅陶瓷孔隙率低,强度高,耐高温性能更好。
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