本发明的立方相、岩盐矿结构Zn1-xMnxO薄膜及其制备工艺,属于氧化物稀磁半导体薄膜的制备技术领域,其特征是采用电子束反应蒸发法,利用MnO的含量相对较高的(MnO)y(ZnO)1-y(y为摩尔比,y=0.2~0.3)陶瓷靶作为蒸发源,以高纯度的Ar/O2混合气为反应气体,在石英玻璃衬底上制备出Mn含量x(x为原子个数比)在0.6~1.0范围、光学带隙在4.5~5.7eV范围内连续可调、厚度在200~1000nm范围、具有立方相、岩盐矿结构的Zn1-xMnxO薄膜。
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