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铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法

879   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:01:01
本发明提供了一种铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法,涉及自旋电子学材料制备技术领域,本发明所述的制备方法首先采用真空封管工艺,在正的X蒸气压下合成CuCr2X4粉末材料,将获得的粉末材料与适量X粉末混合后低温氩气气氛烧结,制成富X的CuCr2X4靶材;进而采用激光脉冲沉积技术,以高能脉冲激光轰击富X的CuCr2X4靶材,在真空腔中产生一定的X蒸气分压,促使CuCr2X4薄膜在高温衬底上成为尖晶石相,以实现铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料的稳定制备。本发明制备的铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料结晶度高,在室温下(300K)具有铁磁性,饱和磁化强度为150‑250emu/cm3,尺寸满足自旋电子器件需求。
声明:
“铬基铜尖晶石硫族化物薄膜材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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