本发明提供一种Ce:GAGG荧光陶瓷及其制备方法和制备系统,用Gd
3+完全取代Y
3+,Ga
3+取代Al
3+形成的化学式Gd
3‑xAl
5‑yGa
yO
12:Ce
x,通过控制Ce
3+离子、Ga
3+离子的浓度调节Ga
3+离子与Ce
3+离子之间的能量转移来实现Ce:GAGG荧光陶瓷高输出效率。
声明:
“Ce:GAGG荧光陶瓷及其制备制备方法、制备系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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