本发明属于金属及其氧化物涂层技术领域,公开了一种AlCr+α‑Al
2O
3溅射靶材及制备与应用。所述溅射靶材由10~20wt%的α‑Al
2O
3,36.2~40.7wt%的Cr和43.8~49.3wt%的Al组成。将Al粉、Cr粉与α‑Al
2O
3粉经混粉、加压烧结,得到致密AlCr+α‑Al
2O
3溅射靶材。所得AlCr+α‑Al
2O
3溅射靶材通过射频磁控溅射在基体温度520~600℃和10%~15%O
2分压下沉积可沉积出单相纳米α‑(Al,Cr)
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3薄膜,所沉积的薄膜硬度高,韧性好。
声明:
“AlCr+α-Al2O3溅射靶材及制备与应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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