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提高钕铁硼晶界扩散深度的方法

837   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:00:02
本发明属于磁性材料技术领域,具体涉及一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法,包括如下步骤:预处理;均匀涂层;热处理工艺;本发明特点在于通过先低温保温,让渗材进入富钕相中,再通过逐步提高扩散温度,保证在渗材较少量的进入主相的前提下,尽可能的让渗材扩散至磁体的中心部位,最后通过提高扩散温度,让富钕相中的渗材进入钕铁硼主相晶粒的外延层,从而提高钕铁硼主相晶粒的形核场,即提高产品矫顽力。
声明:
“提高钕铁硼晶界扩散深度的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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