本发明属于磁性材料技术领域,具体涉及一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法,包括如下步骤:预处理;均匀涂层;热处理工艺;本发明特点在于通过先低温保温,让渗材进入富钕相中,再通过逐步提高扩散温度,保证在渗材较少量的进入主相的前提下,尽可能的让渗材扩散至磁体的中心部位,最后通过提高扩散温度,让富钕相中的渗材进入钕铁硼主相晶粒的外延层,从而提高钕铁硼主相晶粒的形核场,即提高产品矫顽力。
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